FSD886T

產(chǎn)品簡要描述

1.低膨脹系數(shù)(CTE低)
2.剛性強
3.碳氫系列低損耗
4.納米陶瓷耐熱性高
5.DK適中,基站最佳選擇材料
6.增益,相位匹配最佳

特點

1.不同頻率/溫度下穩(wěn)定的介電性能
2.嚴格的DK公差控制+/-0.05
3.優(yōu)異的剝離強度
4.UL 94 V-0
5.熱固性樹脂體系,擁有良好的PCB加工性能,適用于混合和多層板設計

應用領域

5G通訊,傳感醫(yī)療,視覺光電,信號采集,蜂窩基站天線,天線饋電網(wǎng)絡, 遙測 , DAS/CPE天線, 大規(guī)模天線陣列

性能數(shù)據(jù)表格

項目
Items
試驗方法
Method
條件
Condition
單位
Unit
典型值
Typical Value
介電常數(shù)DK
@10 GHz
IPC-TM-650 2.5.5.523℃-3.0±0.05
介質(zhì)損耗DF
@10 GHz
IPC-TM-650 2.5.5.523℃-0.0026
剝離強度IPC-TM-650 2.4.8288℃/10sN/mm
(lb/in)
0.7
(4)
體積電阻率IPC-TM-650 2.5.17.1AMΩ·cm4.78*108
表面電阻率IPC-TM-650 2.5.17.1A2.78*108
吸水率IPC-TM-650 2.6.2.1D-24/23%0.15
熱膨脹系數(shù)CTE
(X/Y/Z-axis)
IPC-TM-650 2.4.24TMA (30-260℃)ppm/℃<14
<15
<31
介質(zhì)擊穿電壓IPC-TM-650 2.5.6D-48/50+D-4/23kV20
熱應力IPC-TM-650 2.4.13.1288°C[550.4F],10 ss通過視覺檢測
阻燃性UL94C-48/23/50評級V0
*以上列出的所有典型值僅供參考,不用于規(guī)范。詳細信息請聯(lián)系本公司,本數(shù)據(jù)表的所有權利歸江蘇富仕德科技發(fā)展有限公司所有。
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