FSD886T
產(chǎn)品簡要描述
1.低膨脹系數(shù)(CTE低)
2.剛性強
3.碳氫系列低損耗
4.納米陶瓷耐熱性高
5.DK適中,基站最佳選擇材料
6.增益,相位匹配最佳
特點
1.不同頻率/溫度下穩(wěn)定的介電性能
2.嚴格的DK公差控制+/-0.05
3.優(yōu)異的剝離強度
4.UL 94 V-0
5.熱固性樹脂體系,擁有良好的PCB加工性能,適用于混合和多層板設計
應用領域
5G通訊,傳感醫(yī)療,視覺光電,信號采集,蜂窩基站天線,天線饋電網(wǎng)絡, 遙測 , DAS/CPE天線, 大規(guī)模天線陣列
性能數(shù)據(jù)表格
項目 Items | 試驗方法 Method | 條件 Condition | 單位 Unit | 典型值 Typical Value | |
介電常數(shù)DK @10 GHz | IPC-TM-650 2.5.5.5 | 23℃ | - | 3.0±0.05 | |
介質(zhì)損耗DF @10 GHz | IPC-TM-650 2.5.5.5 | 23℃ | - | 0.0026 | |
剝離強度 | IPC-TM-650 2.4.8 | 288℃/10s | N/mm (lb/in) | 0.7 (4) | |
體積電阻率 | IPC-TM-650 2.5.17.1 | A | MΩ·cm | 4.78*108 | |
表面電阻率 | IPC-TM-650 2.5.17.1 | A | MΩ | 2.78*108 | |
吸水率 | IPC-TM-650 2.6.2.1 | D-24/23 | % | 0.15 | |
熱膨脹系數(shù)CTE (X/Y/Z-axis) | IPC-TM-650 2.4.24 | TMA (30-260℃) | ppm/℃ | <14 | |
<15 | |||||
<31 | |||||
介質(zhì)擊穿電壓 | IPC-TM-650 2.5.6 | D-48/50+D-4/23 | kV | 20 | |
熱應力 | IPC-TM-650 2.4.13.1 | 288°C[550.4F],10 s | s | 通過視覺檢測 | |
阻燃性 | UL94 | C-48/23/50 | 評級 | V0 |
*以上列出的所有典型值僅供參考,不用于規(guī)范。詳細信息請聯(lián)系本公司,本數(shù)據(jù)表的所有權利歸江蘇富仕德科技發(fā)展有限公司所有。